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New Product
Si5403DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.05
I D = 7.2 A
0.04
T J = 125 °C
10
0.03
T J = 25 °C
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.02
1
0.01
0.1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
0
4
8
12
16
20
2.4
2.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Forward Diode Voltage vs. Temp.
50
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
2.0
30
1. 8
I D = 250 μA
20
1.6
1.4
1.2
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
100 μs
1 ms
10 ms
1 00 ms
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1s
10 s
DC
B V DSS
Limited
0.01
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68643
S-81443-Rev. A, 23-Jun-08
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